浏览历史
BSM180D12P2C101-ND
- 型号 :
- BSM180D12P2C101
- 制造商 :
- Rohm Semiconductor
- 批号 :
- -
- 简介 :
- SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 0
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 11,770.7520
没有库存
FET 功能 | 碳化硅 (SiC) |
---|---|
FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 35.2mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 23000pF @ 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | - |
供应商器件封装 | 模块 |
功率 - 最大值 | 1130W |
包装 | 散装 |
安装类型 | * |
封装/外壳 | 模块 |
漏源极电压 (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 180A |
系列 | * |
- 产品评论
没有评论