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| FET 功能 | 碳化硅 (SiC) |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.1V @ 50mA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 9500pF @ 800V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 20A，20V |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 功率 - 最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 165A |
| 系列 | Z-FET™ Z-Rec™ |
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