浏览历史
FET 功能 | 碳化硅 (SiC) |
---|---|
FET 类型 | 6 N-沟道(3 相桥) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 2.5mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2.810nF @ 800V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 180nC @ 20V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 34 毫欧 @ 50A, 20V |
供应商器件封装 | 模块 |
功率 - 最大值 | 337W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | 模块 |
漏源极电压 (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 87A |
系列 | Z-FET™ Z-Rec™ |
- 产品评论
没有评论