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DMN2013UFDE-7DITR-ND
- 型号 :
- DMN2013UFDE-7
- 制造商 :
- Diodes Inc
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 3000
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 1.2353
FET 功能 | 逻辑电平门 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2453pF @ 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25.8nC @ 8V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 11 毫欧 @ 8.5A,4.5V |
供应商器件封装 | * |
功率 - 最大值 | 660mW |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 10.5A |
系列 | - |
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