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FET 功能 | 标准 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1.5mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1050pF @ 25V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 3 欧姆 @ 2A,10V |
供应商器件封装 | TO-263 |
功率 - 最大值 | 150W |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4A |
系列 | HiPerFET™ |
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