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FET 功能 | 逻辑电平门 |
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FET 类型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 110pF @ 100V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.9nC @ 5V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 5A,5V |
供应商器件封装 | 4-LGA(1.7x0.9) |
功率 - 最大值 | - |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-LGA |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A |
系列 | eGaN® |
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