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FET 功能 | 逻辑电平门 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 500µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3965pF @ 30V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 49nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4.6 毫欧 @ 16A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
功率 - 最大值 | 63W |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 32A |
系列 | - |
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