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FET 功能 | 逻辑电平门 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 200µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1370pF @ 15V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4.2 毫欧 @ 11.5A, 10V |
供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
功率 - 最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 23A |
系列 | - |
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