浏览历史
FET 功能 | 逻辑电平门 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2550pF @ 20V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 55nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 15 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
功率 - 最大值 | 62.5W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 50A |
系列 | - |
- 产品评论
没有评论