FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 510pF @ 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10.8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 47 毫欧 @ 2A,4.5V |
供应商器件封装 | ES6(1.6x1.6) |
功率 - 最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.2A |
系列 | - |
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