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FET 功能 | 逻辑电平门 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1540pF @ 15V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | 8-DFN-EP(3x3) |
功率 - 最大值 | 3.1W |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线裸焊盘 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 21A |
系列 | - |
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