FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
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FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1170pF @ 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 31 毫欧 @ 4A,4.5V |
供应商器件封装 | TSM(2.9x2.8) |
功率 - 最大值 | 700mW |
包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5A |
系列 | - |
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