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SIHB33N60E-GE3-ND
- 型号 :
- SIHB33N60E-GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N CH 600V 33A TO-263
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 887
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 40.7685
FET 功能 | 标准 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3508pF @ 100V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 99 毫欧 @ 16.5A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率 - 最大值 | 278W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 33A |
系列 | E 系列 |
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