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SIE860DF-T1-GE3TR-ND
- 型号 :
- SIE860DF-T1-GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
- 分享 :
- PDF :
- 库存 :
- 9000
- 货期 :
- -
- 单价 :
- ¥ 6.9110
FET 功能 | 标准 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4500pF @ 15V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 105nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 2.1 毫欧 @ 21.7A,10V |
供应商器件封装 | 10-PolarPAK®(M) |
功率 - 最大值 | 104W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 10-PolarPAK®(M) |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 60A |
系列 | TrenchFET® |
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