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APTM50DHM65TG-ND
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- APTM50DHM65TG
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FET 功能 | 标准 |
---|---|
FET 类型 | 2 N 沟道(非对称桥) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7000pF @ 25V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 140nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 78 毫欧 @ 25.5A,10V |
供应商器件封装 | SP4 |
功率 - 最大值 | 390W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP4 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 51A |
系列 | - |
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