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APTM50AM19STG-ND
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- APTM50AM19STG
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FET 功能 | 碳化硅 (SiC) |
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FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 10mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 22400pF @ 25V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 492nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 19 毫欧 @ 85A,10V |
供应商器件封装 | SP4 |
功率 - 最大值 | 1250W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP4 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 170A |
系列 | - |
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