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APTM100U13SG-ND
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- APTM100U13SG
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FET 功能 | 逻辑电平门 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 10mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 31600pF @ 25V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2000nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 145 毫欧 @ 32.5A,10V |
供应商器件封装 | 模块 |
功率 - 最大值 | 1250W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | J3 模块 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 65A |
系列 | - |
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