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FDV302P_NB8V001CT-ND

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FDV302P_NB8V001
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8881 
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¥ 3.0653
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FET 功能标准
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)11pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.31nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)10 欧姆 @ 200mA,4.5V
供应商器件封装SOT-23
功率 - 最大值350mW
包装剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120mA
系列-
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