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DMN26D0UT-7DITR-ND

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DMN26D0UT-7
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18000 
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¥ 0.3384
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FET 功能逻辑电平门
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)14.1pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)3 欧姆 @ 100mA,4.5V
供应商器件封装SOT-523
功率 - 最大值300mW
包装带卷 (TR)可替代的包装
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-523
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)230mA
系列-
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