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CollapseExpand封装/外壳 :
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerPak® CHIPFET™8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-VDFN 裸露焊盘PowerPAK® CHIPFET™ 单PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-220-3TO-220-3 全封装，隔离接片TO-220-3 整包TO-247-3TO-251-3 长引线，IPak，TO-251ABTO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63TO-3P-3，SC-65-3
Close供应商器件封装 :
6-uDFN（2x2）8-DFN-EP（5x6）8-PowerPak® ChipFet8-SOIC8-SOIC NPowerDI3333-8PowerPAK® ChipFET 单通道PowerPAK® SC-70-6 单TO-220TO-220ABTO-220FMTO-220SISTO-247ADTO-251TO-252，（D-Pak）TO-3P（N）
Close不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） :
1.05 欧姆 @ 6A，10V10 毫欧 @ 13.5A，10V11 毫欧 @ 12A，20V11 毫欧 @ 9.7A，4.5V115 毫欧 @ 12A，10V12 毫欧 @ 4A， 4.5V13.5 毫欧 @ 7A，10V13.8 毫欧 @ 11A，10V14.5 毫欧 @ 7.7A，10V140 毫欧 @ 7.2A，10V15 毫欧 @ 12.4A，4.5V15 毫欧 @ 7.7A，4.5V16 毫欧 @ 8.2A，4.5V17 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 6.6A，10V18 毫欧 @ 7.6A，4.5V20 毫欧 @ 6.6A，10V21 毫欧 @ 8.4A，10V25 毫欧 @ 6.5A，4.5V29 毫欧 @ 6.7A，4.5V30 毫欧 @ 5.9A，4.5V300 毫欧 @ 7.2A，10V34 毫欧 @ 4.6A，10V35 毫欧 @ 5.3A，10V35 毫欧 @ 5.6A，4.5V400 毫欧 @ 6A，10V44 毫欧 @ 12A，10V500 毫欧 @ 6A，10V500 毫欧 @ 7.2A，10V520 毫欧 @ 6A，10V60 毫欧 @ 12A，10V7 毫欧 @ 16A，10V7 毫欧 @ 19A，10V85 毫欧 @ 6A，10V
Close不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） :
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 4mA4V @ 1mA4V @ 25µA4V @ 250µA5.5V @ 1mA5V @ 1mA800mV @ 250µA850mV @ 250µA
Close不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :
10nC @ 10V12nC @ 10V14.7nC @ 10V14nC @ 10V155nC @ 10V18nC @ 10V18nC @ 4.5V20nC @ 10V21nC @ 10V25nC @ 4.5V29nC @ 10V29nC @ 5V3.4nC @ 10V30nC @ 10V31.6nC @ 10V32nC @ 10V32nC @ 5V33nC @ 10V34nC @ 10V35nC @ 8V37.6nC @ 4.5V37nC @ 10V38nC @ 10V38nC @ 8V39nC @ 10V44nC @ 10V45nC @ 10V47nC @ 10V50nC @ 5V54nC @ 8V57nC @ 8V60nC @ 8V75nC @ 8V
Close不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) :
1100pF @ 25V1100pF @ 30V1125pF @ 20V1185pF @ 30V1200pF @ 10V1200pF @ 25V1250pF @ 10V1280pF @ 10V1350pF @ 15V1350pF @ 20V1380pF @ 1V1400pF @ 15V1500pF @ 10V1600pF @ 25V1633pF @ 25V1700pF @ 10V1800pF @ 10V1800pF @ 4V1830pF @ 25V2100pF @ 10V2300pF @ 4V256pF @ 25V2600pF @ 15V2700pF @ 10V3230pF @ 15V4000pF @ 25V405pF @ 15V4310pF @ 15V540pF @ 30V720pF @ 10V800pF @ 10V860pF @ 25V950pF @ 15V
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