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IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
---|---|
NTC 热敏电阻 | 无 |
不同 Vce 时的输入电容 (Cies) | 3.6nF @ 25V |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,50A |
供应商器件封装 | D1 |
功率 - 最大值 | 270W |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | D1 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 75A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 5mA |
系列 | - |
输入 | 标准 |
配置 | 单一 |
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IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
---|---|
NTC 热敏电阻 | 无 |
不同 Vce 时的输入电容 (Cies) | 3.6nF @ 25V |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,50A |
供应商器件封装 | D1 |
功率 - 最大值 | 270W |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | D1 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 75A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 5mA |
系列 | - |
输入 | 标准 |
配置 | 单一 |
销售客服 : | |
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