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网站首页>产品>APTM50DHM65TG

APTM50DHM65TG-ND

型号 :
APTM50DHM65TG
制造商 :
Microsemi Power Products Group
批号 :
-
简介 :
MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
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PDF
库存 :
货期 :
-
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能标准
FET 类型2 N 沟道(非对称桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 2.5mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)7000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)140nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)78 毫欧 @ 25.5A,10V
供应商器件封装SP4
功率 - 最大值390W
包装散装
安装类型底座安装
封装/外壳SP4
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)51A
系列-
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